W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1,8V 84-Pin WBGA
W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1,8V 84-Pin WBGA
Τσιπ DRAM DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
1. ΓΕΝΙΚΗ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Το W9725G6KB είναι ένα 256M bit DDR2 SDRAM, οργανωμένο ως 4.194.304 λέξεις 4 τράπεζες 16 bit.Αυτή η συσκευή επιτυγχάνει υψηλές ταχύτητες μεταφοράς έως και 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) για γενικές εφαρμογές.Το W9725G6KB ταξινομείται στις ακόλουθες κατηγορίες ταχύτητας: -18, -25, 25I και -3.Τα ανταλλακτικά κατηγορίας -18 είναι συμβατά με την προδιαγραφή DDR2-1066 (7-7-7).Τα εξαρτήματα ποιότητας -25 και 25I είναι συμβατά με τις προδιαγραφές DDR2-800 (5-5-5) ή DDR2-800 (6-6-6) (τα εξαρτήματα βιομηχανικής ποιότητας 25I που είναι εγγυημένα ότι υποστηρίζουν -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C).Τα εξαρτήματα κατηγορίας -3 είναι συμβατά με την προδιαγραφή DDR2-667 (5-5-5).Όλες οι είσοδοι ελέγχου και διεύθυνσης συγχρονίζονται με ένα ζεύγος εξωτερικά παρεχόμενων διαφορικών ρολογιών.Οι είσοδοι μανδαλώνονται στο σημείο διασταύρωσης των διαφορικών ρολογιών (CLK αυξάνεται και CLK πτώση).Όλα τα I/O συγχρονίζονται με ένα ζεύγος DQS ή διαφορικό DQS-DQS με έναν σύγχρονο τρόπο πηγής.
2. ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ Τροφοδοτικό: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V Αρχιτεκτονική διπλού ρυθμού δεδομένων: δύο μεταφορές δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού Καθυστέρηση CAS: 3, 4, 5, 6 και 7 Μήκος ριπής: 4 και 8 -Στροβοσκοπικά, διαφορικά δεδομένα (DQS και DQS) μεταδίδονται / λαμβάνονται με δεδομένα Στοίχιση άκρων με δεδομένα ανάγνωσης και στοίχιση στο κέντρο με δεδομένα εγγραφής Το DLL ευθυγραμμίζει τις μεταβάσεις DQ και DQS με ρολόι Είσοδοι διαφορικού ρολογιού (CLK και CLK) Μάσκες δεδομένων (DM) για δεδομένα εγγραφής Οι εντολές που εισάγονται σε κάθε θετική ακμή CLK, τα δεδομένα και η μάσκα δεδομένων αναφέρονται και στις δύο άκρες του DQS Προγραμματιζόμενος λανθάνοντας πρόσθετος αναρτημένος CAS που υποστηρίζεται για την απόδοση εντολών και διαύλου δεδομένων Καθυστέρηση ανάγνωσης = Προσθετική καθυστέρηση συν CAS Latency (RL = AL + CL) Ρύθμιση σύνθετης αντίστασης Off-Chip-Driver (OCD) και On-Die-Termination (ODT) για καλύτερη ποιότητα σήματος Λειτουργία αυτόματης προφόρτισης για ριπές ανάγνωσης και εγγραφής λειτουργίες Auto Refresh και Self Refresh Προφόρτιση Power Down και Active Power Down Write Data Mask Write Latency = Read Latency - 1 (WL = RL - 1) Διεπαφή: SSTL_18 Συσκευασμένο σε σφαίρα WBGA 84 (8x12,5 mm2 ), χρησιμοποιώντας υλικά χωρίς μόλυβδο με συμβατότητα RoHS.
Σχετικές πληροφορίες συσκευής:
| ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΣ ΒΑΘΜΟΣ ΤΑΧΥΤΗΤΑΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑ ΛΕΙΤΟΥΡΓΙΑΣ |
| W9725G6KB-18 DDR2-1066 (7-7-7) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| W9725G6KB-25 DDR2-800 (5-5-5) ή DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| W9725G6KB25I DDR2-800 (5-5-5) ή DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C |
| W9725G6KB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C |
| ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
|---|---|
| Κατάσταση RoHS | Συμβατό με ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) | 3 (168 ώρες) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |