DRV8106 Automotive Half Bridge Gate Driver IC

DRV8106-Q1 Automotive Half-Bridge Smart Gate Driver with Wide Common Mode Inline Current Sense IC Ενισχυτής

Περιγραφή:

Το DRV8106-Q1 είναι ένα εξαιρετικά ενσωματωμένο πρόγραμμα οδήγησης πύλης μισής γέφυρας, ικανό να οδηγεί MOSFET ισχύος N καναλιών υψηλής και χαμηλής πλευράς.Παράγει τις κατάλληλες τάσεις μετάδοσης κίνησης πύλης χρησιμοποιώντας μια ενσωματωμένη αντλία φόρτισης διπλασιαστή για την υψηλή πλευρά και έναν γραμμικό ρυθμιστή για την χαμηλή πλευρά.

Η συσκευή χρησιμοποιεί μια αρχιτεκτονική μονάδας έξυπνης πύλης για να μειώσει το κόστος του συστήματος και να βελτιώσει την αξιοπιστία.Το πρόγραμμα οδήγησης πύλης βελτιστοποιεί τον νεκρό χρόνο για να αποφύγει τις συνθήκες βολής, παρέχει έλεγχο στη μείωση της ηλεκτρομαγνητικής παρεμβολής (EMI) μέσω ρυθμιζόμενου ρεύματος μετάδοσης κίνησης πύλης και προστατεύει από την αποστράγγιση στην πηγή και τις συνθήκες σύντομης πύλης με VDS και VΓ.Σ οθόνες.

Ένας ευρύς ενισχυτής διακλάδωσης κοινής λειτουργίας παρέχει ενσωματωμένη ανίχνευση ρεύματος για συνεχή μέτρηση του ρεύματος κινητήρα ακόμη και κατά τη διάρκεια των παραθύρων ανακυκλοφορίας.Ο ενισχυτής μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε διαμορφώσεις αίσθησης χαμηλής ή υψηλής πλευράς εάν δεν απαιτείται ενσωματωμένη αίσθηση.

Το DRV8106-Q1 παρέχει μια σειρά από χαρακτηριστικά προστασίας για τη διασφάλιση στιβαρής λειτουργίας του συστήματος.Αυτές περιλαμβάνουν οθόνες υπό και υπέρτασης για την αντλία τροφοδοσίας και φόρτισης, VDS υπερένταση και VΓ.Σ Οθόνες σφαλμάτων πύλης για τα εξωτερικά MOSFET, διαγνωστικά για ανοιχτό φορτίο και βραχυκύκλωμα εκτός σύνδεσης και εσωτερική θερμική προειδοποίηση και προστασία απενεργοποίησης.

Χαρακτηριστικά :

AEC-Q100 πιστοποιημένο για εφαρμογές αυτοκινήτων:
Βαθμός θερμοκρασίας 1: –40°C έως +125°C, TA
Πρόγραμμα οδήγησης έξυπνης πύλης μισής γέφυρας
Εύρος λειτουργίας 4,9-V έως 37-V (40-V abs. max).
Αντλία διπλής φόρτισης για 100% PWM
Παραλλαγές προγράμματος οδήγησης πύλης καρφίτσας σε καρφίτσα
DRV8705-Q1: H-γέφυρα με ενισχυτή χαμηλής πλευράς
DRV8706-Q1: H-γέφυρα με ενσωματωμένο ενισχυτή
Έξυπνη αρχιτεκτονική μονάδας πύλης
Ρυθμιζόμενος έλεγχος ταχύτητας περιστροφής
Έξοδος ρεύματος κορυφαίας πηγής 0,5 mA έως 62 mA
Έξοδος ρεύματος αιχμής 0,5 mA έως 62 mA
Ενσωματωμένη χειραψία νεκρού χρόνου
Ενισχυτής διακλάδωσης ρεύματος ευρείας κοινής λειτουργίας
Υποστηρίζει inline, high-side ή low-side
Ρυθμιζόμενες ρυθμίσεις απολαβής (10, 20, 40, 80 V/V)
Ενσωματωμένες αντιστάσεις ανάδρασης
Ρυθμιζόμενο σχέδιο κενού PWM
Διατίθενται πολλές επιλογές διεπαφής
SPI: Λεπτομερής διαμόρφωση και διαγνωστικά
H/W: Απλοποιημένος έλεγχος και λιγότερες ακίδες MCU
Χρονομέτρηση φάσματος για μείωση EMI
Συμπαγής συσκευασία VQFN με βρέξιμες πλευρές
Ενσωματωμένα χαρακτηριστικά προστασίας
Ειδική καρφίτσα απενεργοποίησης προγράμματος οδήγησης (DRVOFF)
Οθόνες τροφοδοσίας και ρυθμιστή τάσης
Οθόνες υπερέντασης MOSFET VDS
Οθόνες σφαλμάτων πύλης MOSFET VGS
Αντλία φόρτισης για MOSFET αντίστροφης πολικότητας
Διαγνωστικά ανοικτού φορτίου και βραχυκυκλώματος εκτός σύνδεσης
Θερμική προειδοποίηση και απενεργοποίηση της συσκευής
Καρφίτσα διακοπής κατάστασης σφάλματος (nFAULT)

Προδιαγραφές:

Αριθμός πλήρων γεφυρών 1/2 Vs (ελάχ.) (V) 4.5 Vs ABS (Μέγ.) (V) 40

Ρεύμα ύπνου (uA) 2.5

Λειτουργία ελέγχου PWM Διασύνδεση ελέγχου Υλικό (GPIO), SPI Χαρακτηριστικά Ενσωματωμένος Ενισχυτής ρεύματος, Smart Gate Drive Εκτίμηση Αυτοκίνητο Εύρος θερμοκρασίας λειτουργίας (C) -40 έως 125

Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις