Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Διακριτές Ημιαγωγοί > Infineon HEXFET Power MOSFET N Κανάλι 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Κανάλι 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Κατηγορία:
Διακριτές Ημιαγωγοί
Τιμή:
Negotiated
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union
Προδιαγραφές
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Οικογένεια:
Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικά Εξαρτήματα-MOSFET (Μεταλλικό Οξείδιο)
Σειρά:
HEXFET MOSFET (Οξείδιο μετάλλου)
Αριθμός μερών βάσεων:
IRLR3915
Λεπτομέρειες:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Επιφανειακή βάση D-Pak
Τύπος:
Τρανζίστορ - FET, MOSFET - Μονά
Συσκευασία:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Τοποθετώντας τύπος:
Η επιφάνεια τοποθετεί
Υψηλό φως:

Infineon HEXFET Power MOSFET

,

MOSFET N Κανάλι 55V 30A

,

55V 30A HEXFET Power MOSFET

Εισαγωγή

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Discrete Semiconductor Products

 

N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Επιφανειακή βάση D-Pak

 

Περιγραφή

Αυτό το HEXFET® Power MOSFET χρησιμοποιεί τις πιο πρόσφατες τεχνικές επεξεργασίας για την επίτευξη εξαιρετικά χαμηλής αντίστασης ανά περιοχή πυριτίου.

Πρόσθετα χαρακτηριστικά αυτού του προϊόντος είναι η θερμοκρασία λειτουργίας διασταύρωσης 175°C, η γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής και η βελτιωμένη βαθμολογία επαναλαμβανόμενης χιονοστιβάδας.Αυτά τα χαρακτηριστικά συνδυάζονται για να κάνουν αυτόν τον σχεδιασμό μια εξαιρετικά αποτελεσματική και αξιόπιστη συσκευή για χρήση σε μεγάλη ποικιλία εφαρμογών.

 

Χαρακτηριστικά :

Προηγμένη τεχνολογία διεργασίας Εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση 175°C Θερμοκρασία λειτουργίας Γρήγορη εναλλαγή Επαναλαμβανόμενη χιονοστιβάδα Επιτρέπεται έως και Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea

Τεχνικές προδιαγραφές προϊόντος

 

Αριθμός ανταλλακτικού IRLR3915TRPBF
Βασικός αριθμός ανταλλακτικού IRLR3915
EU RoHS Συμμορφώνεται με την Εξαίρεση
ECCN (ΗΠΑ) EAR99
Κατάσταση μέρους Ενεργός
HTS 8541.29.00.95
Κατηγορία
Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών
 
Τρανζίστορ - FET, MOSFET - Μονά
Mfr
Infineon Technologies
Σειρά
HEXFET®
Πακέτο
Ταινία και καρούλι (TR)
Κατάσταση μέρους
Ενεργός
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (οξείδιο μετάλλου)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
55 V
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
1870 pF @ 25 V
Λειτουργία FET
-
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
120 W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Αναρτημένο στην επιφάνεια
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D-Pak
Πακέτο / Θήκη
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRLR3915

 

 

Infineon HEXFET Power MOSFET N Κανάλι 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Κανάλι 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

Infineon HEXFET Power MOSFET N Κανάλι 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF

 

 

Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
Τροποποιημένο:
10