V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V20PWM45 Vishay Semiconductor
,Vishay Semiconductor TMBS Trench
,MOS Barrier Schottky Rectifier
V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor υψηλής πυκνότητας ρεύματος TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifier DPAK Discrete Semiconductor Products
V20PWM45:Επιφανειακή βάση υψηλής πυκνότητας ρεύματος TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0,35 V σε IF = 5 A
V20PWM45CHigh Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0,39 V σε IF = 5 A
ΕΦΑΡΜΟΓΕΣ
Για χρήση σε μετατροπείς υψηλής συχνότητας DC/DC χαμηλής τάσης,
δίοδοι ελεύθερου τροχού και εφαρμογές προστασίας πολικότητας
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΑ
• Πολύ χαμηλό προφίλ - τυπικό ύψος 1,3 mm
• Τεχνολογία Trench MOS Schottky
• Ιδανικό για αυτοματοποιημένη τοποθέτηση
• Χαμηλή πτώση τάσης προς τα εμπρός, χαμηλές απώλειες ισχύος
• Λειτουργία υψηλής απόδοσης
• Πληροί το επίπεδο MSL 1, ανά J-STD-020,
Μέγιστη κορυφή LF 260 °C
• Διατίθεται πιστοποιημένο AEC-Q101
- Κωδικός παραγγελίας αυτοκινήτου: βάση P/NHM3
• Κατηγοριοποίηση υλικών
Περιγραφή
Αυτό το HEXFET® Power MOSFET χρησιμοποιεί τις πιο πρόσφατες τεχνικές επεξεργασίας για την επίτευξη εξαιρετικά χαμηλής αντίστασης ανά περιοχή πυριτίου.
Πρόσθετα χαρακτηριστικά αυτού του προϊόντος είναι η θερμοκρασία λειτουργίας διασταύρωσης 175°C, η γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής και η βελτιωμένη βαθμολογία επαναλαμβανόμενης χιονοστιβάδας.Αυτά τα χαρακτηριστικά συνδυάζονται για να κάνουν αυτόν τον σχεδιασμό μια εξαιρετικά αποτελεσματική και αξιόπιστη συσκευή για χρήση σε μεγάλη ποικιλία εφαρμογών.
Χαρακτηριστικά :
Προηγμένη τεχνολογία διεργασίας Εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση 175°C Θερμοκρασία λειτουργίας Γρήγορη εναλλαγή Επαναλαμβανόμενη χιονοστιβάδα Επιτρέπεται έως και Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
Τεχνικές προδιαγραφές προϊόντος
Κατηγορία | Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών |
Δίοδοι - Ανορθωτές - Μονοί | |
Mfr | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Σειρά | Αυτοκίνητο, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
Πακέτο | Ταινία και καρούλι (TR) |
Κατάσταση μέρους | Ενεργός |
Τύπος διόδου | Schottky |
Τάση - DC Reverse (Vr) (Μέγ.) | 45 V |
Τρέχουσα - Διορθώθηκε ο μέσος όρος (Io) | 20Α |
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Αν | 660 mV @ 20 A |
Ταχύτητα | Γρήγορη ανάκτηση =< 500ns, > 200mA (Io) |
Ρεύμα - Αντίστροφη διαρροή @ Vr | 700 µA @ 45 V |
Χωρητικότητα @ Vr, F | 3100pF @ 4V, 1MHz |
Τύπος τοποθέτησης | Αναρτημένο στην επιφάνεια |
Πακέτο / Θήκη | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | SlimDPAK |
Θερμοκρασία Λειτουργίας - Διασταύρωση | -40°C ~ 175°C |
Βασικός αριθμός προϊόντος | V20PWM45 |
| Αριθμός ανταλλακτικού | V20PWM45-M3/I V20PWM45HM3/I |
| Βασικός αριθμός ανταλλακτικού | V20PWM45C-M3/I |
| EU RoHS | Συμμορφώνεται με την Εξαίρεση |
| ECCN (ΗΠΑ) | EAR99 |
| Κατάσταση μέρους | Ενεργός |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Περισσότερος αριθμός ανταλλακτικού για General Semiconductor:
| Αριθμός ανταλλακτικού | MFG | Τύπος Πακέτου |
| BYV26C | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| BYV26EGP | VISHAY Ημιαγωγοί | DO-15 |
| BYV26E-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| BYV26EGP | VISHAY Ημιαγωγοί | DO-15 |
| BYV26E-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| BYV26C-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| SI2309CDS-T1-GE3 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOT-23 |
| SI2301CDS-T1-GE3 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOT-23 |
| SI2307CDS-T1-GE3 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOT-23 |
| SF1600-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| SF1600-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| SI2333CDS-T1-GE3 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOT-23 |
| SI2303CDS-T1-GE3 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOT-23 |
| SI2304DDS-T1-GE3 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOT-23 |
| SI2302CDS-T1-GE3 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOT-23 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOT-23 |
| SBYV26C | VISHAY Ημιαγωγοί | DO-41 |
| BZX55C24-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | DO-35 |
| BYV27-200 | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| BYV27-600-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| BYV27-200-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-57 |
| BYV28-200-TAP | VISHAY Ημιαγωγοί | SOD-64 |
| SBYV26C | VISHAY Ημιαγωγοί | DO-41 |