IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
100V 130A FET HEXFET Power Mosfet
,IRFB4310PBF
,IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistors TO-220AB HEXFET FET MOSFET
Τρανζίστορ N-Channel 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FET MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Περιγραφή:
Αυτό το HEXFET® Power MOSFET χρησιμοποιεί τις πιο πρόσφατες τεχνικές επεξεργασίας για την επίτευξη εξαιρετικά χαμηλής αντίστασης ανά περιοχή πυριτίου.
Πρόσθετα χαρακτηριστικά αυτού του προϊόντος είναι η θερμοκρασία λειτουργίας διασταύρωσης 175°C, η γρήγορη ταχύτητα εναλλαγής και η βελτιωμένη βαθμολογία επαναλαμβανόμενης χιονοστιβάδας.Αυτά τα χαρακτηριστικά συνδυάζονται για να κάνουν αυτόν τον σχεδιασμό μια εξαιρετικά αποτελεσματική και αξιόπιστη συσκευή για χρήση σε μεγάλη ποικιλία εφαρμογών.
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB Προδιαγραφή:
|
Κατηγορία
|
Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών
|
|
Τρανζίστορ - FET, MOSFET - Μονά
|
|
|
Mfr
|
Infineon Technologies
|
|
Σειρά
|
HEXFET®
|
|
Πακέτο
|
Σωλήνας
|
|
Τύπος FET
|
N-Channel
|
|
Τεχνολογία
|
MOSFET (οξείδιο μετάλλου)
|
|
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss)
|
40 V
|
|
Ρεύμα - Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C
|
180A (Tc)
|
|
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On)
|
10V
|
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
3,7mOhm @ 75A, 10V
|
|
Vgs(th) (Max) @ Id
|
4V @ 250µA
|
|
Χρέωση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs
|
150 nC @ 10 V
|
|
Vgs (Μέγ.)
|
±20V
|
|
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds
|
4340 pF @ 25 V
|
|
Λειτουργία FET
|
-
|
|
Διαρροή ισχύος (Μέγ.)
|
200W (Tc)
|
|
Θερμοκρασία λειτουργίας
|
-55°C ~ 175°C (TJ)
|
|
Τύπος τοποθέτησης
|
Μέσα από την τρύπα
|
|
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
|
TO-220AB
|
|
Πακέτο / Θήκη
|
ΤΟ-220-3
|
|
Βασικός αριθμός προϊόντος
|
IRF1404
|
| ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
|---|---|
| Κατάσταση RoHS | Συμβατό με ROHS3 |
| Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) | 1 (Απεριόριστο) |
| Κατάσταση REACH | REACH Δεν επηρεάζεται |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |