Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Διακριτές Ημιαγωγοί > IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Semiconductor

IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Semiconductor

Κατηγορία:
Διακριτές Ημιαγωγοί
Τιμή:
Negotiated
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union
Προδιαγραφές
Περιγραφή:
IGBT NPT, Στάση πεδίου τάφρου 1600 V 60 A 312 W μέσω οπής PG-TO247-3-1
Οικογένεια:
Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικά Εξαρτήματα-Τρανζίστορ IGBT
ΤΥΠΟΣ IGBT:
NPT, Στάση Πεδίου Τάφρου
Αριθμός μερών βάσεων:
H30R1602
Λεπτομέρειες:
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Εφαρμογές:
Επαγωγικό μαγείρεμα, Εφαρμογές Soft Switching
Συσκευασία:
TO247
Τοποθετώντας τύπος:
Μέσω της τρύπας
Υψηλό φως:

Τρανζίστορ IHW30N160R2 IGBT

,

Ημιαγωγός ισχύος H30R1602

,

IHW30N160R2

Εισαγωγή

IHW30N160R2 Τρανζίστορ IGBT H30R1602 Ημιαγωγοί ισχύος σειράς μαλακών μεταγωγέων IC IHW30N160R2FKSA1Σειρά Soft Switching

 

Εφαρμογές:
• Επαγωγική Μαγειρική
• Εφαρμογές Soft Switching

 

Περιγραφή:

TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT με μονολιθική δίοδο σώματος
Χαρακτηριστικά:
• Ισχυρή μονολιθική δίοδος σώματος με πολύ χαμηλή τάση προς τα εμπρός
• Η δίοδος σώματος σφίγγει αρνητικές τάσεις
• Η τεχνολογία Trench and Fieldstop για εφαρμογές 1600 V προσφέρει:
- πολύ στενή κατανομή παραμέτρων
- υψηλή ανθεκτικότητα, συμπεριφορά σταθερή στη θερμοκρασία
• Η τεχνολογία NPT προσφέρει εύκολη δυνατότητα παράλληλης μεταγωγής λόγω
θετικός συντελεστής θερμοκρασίας σε VCE(sat)
• Χαμηλό EMI
• Πιστοποιημένο σύμφωνα με το JEDEC1
για στοχευόμενες εφαρμογές
• Επιμετάλλωση μολύβδου χωρίς Pb.Συμβατό με RoHS

 

Προδιαγραφή: IGBT NPT, Στάση πεδίου τάφρου 1600 V 60 A 312 W μέσω οπής PG-TO247-3-1

Αριθμός ανταλλακτικού IHW30N160R2
Κατηγορία
Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών
 
Τρανζίστορ - IGBT - Μονά
Σειρά
TrenchStop®
Πακέτο
Σωλήνας
Τύπος IGBT
NPT, Στάση Πεδίου Τάφρου
Τάση - Βλάβη εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.)
1600 V
Τρέχον - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
60 Α
Ρεύμα - Συλλεκτική παλμική (Icm)
90 Α
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2,1V @ 15V, 30A
Ισχύς - Μέγ
312 W
Ενέργεια μεταγωγής
4,37 mJ
Τύπος εισόδου
Πρότυπο
Χρέωση πύλης
94 nC
Td (on/off) @ 25°C
-/525ns
Συνθήκη δοκιμής
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Μέσα από την τρύπα
Πακέτο / Θήκη
TO-247-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PG-TO247-3-1

 

Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατάσταση RoHS Συμβατό με ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) 1 (Απεριόριστο)
Κατάσταση REACH REACH Δεν επηρεάζεται
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

Αριθμός ανταλλακτικού IHW30N160R2FKSA1
Βασικός αριθμός ανταλλακτικού IHW30N160R2
EU RoHS Συμμορφώνεται με την Εξαίρεση
ECCN (ΗΠΑ) EAR99
Κατάσταση μέρους Ενεργός
HTS 8541.29.00.95

IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power SemiconductorIHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Semiconductor

 

IHW30N160R2 IGBT Transistor H30R1602 Power Semiconductor

 

Αναπληρωματικοί (1):
 
IXGH24N170 ΙΧΥΣ
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
Τροποποιημένο:
10pieces