logo
Να στείλετε μήνυμα
Σπίτι > προϊόντα > Ηλεκτρονικά Εξαρτήματα > 13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET

13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET

κατασκευαστής:
Ινφίνιον Τεχνολογίες
Περιγραφή:
FMV13N60ES 600V 30A N Chanel MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικά Εξαρτήματα
-απόθεμα:
Σε απόθεμα
Τιμή:
Negotiated
Μέθοδος πληρωμής:
T/T, Western Union
Μέθοδος αποστολής:
Εξπρές
Προδιαγραφές
Κατηγορία:
Ηλεκτρονικά εξαρτήματα-IGBTS τρανζίστορ-mosfet
Οικογένεια:
Ιδιαίτερα προϊόντα ημιαγωγών
Τύπος:
N-CH MOSFET
Αριθμός μερών βάσεων:
13N60ES
Καθέκαστα:
FMV13N60ES 600V 30A N Chanel MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Αιτήσεις:
Επαγωγική μαγειρική, μαλακές εφαρμογές μεταγωγής
Περιγραφή:
IGBT NPT, στάση πεδίου τάφρου 1600 V 60 A 312 W μέσω οπής PG-TO247-3-1
Πακέτο:
TO220
Τύπος τοποθέτησης:
Με τρύπα
Εισαγωγή

Δοκιμαστικό υλικό για την παραγωγή ηλεκτρικών υλών

13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET

Εφαρμογές:
• Εγκατάσταση μαγειρέματος
• Εφαρμογές Soft Switching

 

 

Προδιαγραφή: FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES

Αριθμός τμήματος 13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET
Κατηγορία
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
 
Τρανζίστορες - IGBT - Μοναδικές
Σειρά
Δοκιμαστική μονάδα για την παραγωγή ηλεκτρικής ενέργειας
Πακέτο
Τύπος
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Τύπος στερέωσης
Μέσα από την τρύπα
Πακέτο / Κουτί
ΣΤΟ-220
Πακέτο συσκευής του προμηθευτή
ΤΟ-220 3Π

 

Περιβαλλοντικές και εξαγωγικές ταξινομήσεις
ΑΡΘΡΟΣ Περιγραφή
Κατάσταση RoHS Συμμόρφωση με την οδηγία ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL) 1 (απεριόριστο)
Το καθεστώς REACH REACH Μη επηρεασμένο
Εθνική Εθνική Εθνική Εταιρεία EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET

 

 

 

 
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
Εικόνα μέρος # Περιγραφή
TT430N16KOF

TT430N16KOF

TT430N16KOF Thyristor module Full Serise Infineon IGBT
DD100N16S DD100N16SHPSA1

DD100N16S DD100N16SHPSA1

Diode Modules 20mm Solder Bond Rectifier
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
In Stock
Τροποποιημένο:
10pieces