FM6BD1G1GMB-1,8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
κατασκευαστής:
ESMT ((Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Περιγραφή:
FM6BD1G1GMB 1,8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10,5x8 (mm
Κατηγορία:
IC μικροελεγκτή
-απόθεμα:
Σε απόθεμα
Τιμή:
Contact us
Μέθοδος πληρωμής:
T/T
Μέθοδος αποστολής:
εξπρές
Προδιαγραφές
Όνομα προϊόντος:
FM6BD1G1GMB-1,8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Περιγραφή:
FM6BD1G1GMB 1,8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1,8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz
Κατηγορία:
Ολοκληρωμένα Κυκλώματα (IC)-FM6BD1G1GMB
Πακέτο / Θήκη:
10,5x8 (mm) 162BGA
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-40°C ~ 85°C (TA)
Τύπος τοποθέτησης:
Επιφανειακή βάση
Mfr:
ESMT
Βασικός αριθμός προϊόντος:
FM6BD1G1GMB
Αριθμοί ανταλλακτικών:
FM6BD1G1GMB-1,8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Εισαγωγή
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Περιγραφή:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE
Περισσότερα MCP Flash Memory ICs Αριθμός εξαρτήματος:
| 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6BD1G1GMB(2M) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 ball |
| FM62D1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 ball |
| FM6BD1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 ball |
| 2G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM62D2G1GXA (2U) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6BD2G2GXA(2M) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| FM6BD2G2GXA(2L) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| FM62D2G2GXA (2L) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| FM62D2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| FM6BD2G2GKA (2Q) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6HZ2G2GXA (2A) | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (mm), 149ball |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6BD4G2GXB(2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533/400MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| FM62D4G2GXB (2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| FM6BD4G2GKA (2J) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162ball |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6HZ4G2GXB | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) | 30ns; 1866MHz | 9.5x8 (mm), 149ball |
| 4G+4G (NAND Flash +LPDDR2) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 400/ 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 ball |
| FM6BD4G4GXMB (2V) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 30ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 ball |
| FM6BD4G4GKMA (2J) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) | 45ns; 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 ball |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6HZ4G4GXB | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/2133MHz | 9.5x8 (mm), 149ball |
| 8G+8G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6HZ8G8GXDZB(2H) | 1.8V 4Gb x2die NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) | 30ns; 1866/ 2133MHz | 9.5x8 (mm), 149ball |
| 16G+16G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Αριθμός_Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(MHZ) | Πακέτο |
| FM6HZ16G16GXA (2D) | 1.8V 8Gb x2die NAND Flash (1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM (1Gbx16) | 30ns; 2133MHz | |
Εφαρμογή:
Αυτοκίνητα
Δικτύωση
Καταναλωτικά
Set Top Box
Βιομηχανικά
Οθόνη
IOT
Επιτήρηση Ασφαλείας
Φορέσιμες Συσκευές
Περιφερειακά Η/Υ
Η Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) είναι μια επαγγελματική εταιρεία σχεδιασμού IC, που ιδρύθηκε τον Ιούνιο του 1998 στο Hsinchu Science Industrial Park της Ταϊβάν. Η κύρια δραστηριότητα της εταιρείας περιλαμβάνει το σχεδιασμό, την κατασκευή, τις πωλήσεις και τις τεχνικές υπηρεσίες προϊόντων IC δικής της μάρκας. Η ESMT εισήχθη με επιτυχία στο χρηματιστήριο της Ταϊβάν, κωδικός 3006, τον Μάρτιο του 2002.
ESMT SPI NAND Flash Products περισσότερα σε απόθεμα:
| SPI NAND | |||
| 1Gb | |||
| Αριθμός Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(mhz) | Πακέτο |
| F50L1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-contact WSON |
| F50D1G41LB(2M) | SPI NAND Flash, 1.8V | 50MHz | 8-contact WSON |
| F50L1G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-contact WSON/ 24 Ball BGA |
| 2Gb | |||
| Αριθμός Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(mhz) | Πακέτο |
| F50L2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-contact WSON |
| F50L2G41XA (2BE) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-contact LGA |
| F50D2G41XA(2BE) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83MHz | 8-contact LGA |
| F50D2G41XA(2B) | SPI NAND Flash, 1.8V | 83/ 104 MHz | 8-contact WSON |
| 4Gb | |||
| Αριθμός Εξαρτήματος | Περιγραφή | Ταχύτητα(mhz) | Πακέτο |
| F50D4G41XB(2X) | SPI NAND Flash 1.8V | 83MHz | 8-contact LGA |
| F50L4G41XB(2X) | SPI NAND Flash, 3.3V | 104MHz | 8-contact WSON |
| F50D4G41XB(2XE) | SPI NAND Flash 1.8V | 83MHz | 8-contact LGA |
ΣΧΕΤΙΚΑ ΠΡΟΪΟΝΤΑ
F59L1G81LB SLC NAND ή SLC NAND Flash Memory ICs F59L1G81LB-25TG2M
F59L1G81LB (2M) SLC NAND Flash x8 3.3V ECC:1bit/528Byte 25ns 48TSOPI/ 63BGA/ 67BGA
EN25QX256A SPI ή Flash IC EN25QX256A-104HIP2S
256Mb 2.7V - 3.6V 104MHz/133MHz SPI NOR Flash Memory IC
EN29LV800D(2A) EN29LV160D(2W) EN29LV320C (2Y) EN29LV320CB-70BIP
Parallel NOR 32Mb Flash Memory Boot Sector IC EN29LV320CB-70BIP
M55D1G3232A(2Y) M55D1G1664A (2Y) 4Gb M55D4G16256A(2R) M55D4G32128A(2R) 2Gb M56Z2G16128A (2R) 4Gb M525H(2R) M56Z4G32128A (2R) 8Gb M56Z8G32256A M56Z8G32256A (2H)
LPDDR3 SDRAM LPDDR4x SDRAM M55D4G32128A-GFB
M52D64322AK1AG M52D5123216A M52D5121632A M52D2561616A(2F) M52D256328A(2F) LPSDR SDRAM IC
M52D64322A 2Mbx32 1.8V 4K 166MHz 54FBGA LPSDR SDRAM IC
M53D64164A (2C) M13D64322A (2S) M53D2561616A (2F) M53D256328A (2F) M53D5121632A M53D5123216A M53D1G1613A M23D
M53D5123216A 16Mbx32 1.8V 8K 200MHz 144FBGA LPDDR SDRAM IC M53D5123216A-5B
M16U4G16256A-KJBG2Z M16U4G16256A-QLBG2Z
4Gb 256Mbx16 1.2V 1333/1600MHz DDR4 SDRAM M16U4G16256A M16U4G8512A 96BGA IC
128MB DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII IC
Μ12L5121632A-6TG2T 166MHz TSOP M12L5121632A-7TG2T 143MHz TSOP54 M12L5121632A-5BG2T 200MHz BGA M12L5121632A-6BG2T 166MHz BGA M12L5121632A-7BG2T 143MHz BGA
M12L5121632A 32Mbx16 SDRAM 3.3V 8K 143/166/200MHz 54pin TSOPII/54FBGA IC M12L5121632A-5TG2T
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) ESMT DRAM DDR SDRAM Μνήμη IC
ESMT DRAM DDR SDRAM Memory IC M13S64164A(2C) 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz
M12L2561616A-6TG2T M12L2561616A-6BIG2S ESMT SDRAM 3,3V Μνήμη IC
M12L2561616A (2T) M12L16161A (2R) M12L16164A M12L64322A M12L128168A M12L5121632ASDRAM
Στείλετε το RFQ
Απόθεμα:
In Stock
Τροποποιημένο:
10pieces