BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X IC Chips για έξυπνη χρήση AR/VR
BWCD24L-04G BWCD24M-08 EPOP LPDDR4X IC Chips για έξυπνη χρήση AR/VR
BWCD24L-04G
BWCD24M-08G
BWCK1EZH-32G-X
Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ.
BWCK1EZC05-64G
Δελτίο ΕΚΑΧ, Δελτίο ΕΚΑΧ
Το ePOP συνδυάζει το MMC και το Mobile LPDDR σε ένα ενιαίο πακέτο, με διαφορετικές χωρητικότητες.Συμπεριλαμβανομένης της προηγμένης άλεσης πλακιδίων, τεχνικές στρώσης και σύνδεσης με σύρμα, το BIWIN ενσωματώνει RAM και ROM σε μία ενιαία συσκευή, η οποία όχι μόνο βελτιώνει τις επιδόσεις και την ενεργειακή απόδοση,αλλά και εξοικονομεί χώρο σε πλακέτες κυκλωμάτων (PCB), μειώνοντας έτσι το χρόνο ανάπτυξης για τους πελάτες.
Το ePOP είναι μια ιδανική λύση για φορητές και φορητές συσκευές, όπως smartphones, tablets, PMP, PDA και άλλες συσκευές μέσων ενημέρωσης.
Εφαρμογή:
Έξυπνη χρήση
ΑΡ/VR
Περιγραφή:
Το ePoP LPDDR4X ενσωματώνει τη DRAM LPDDR4X και την αποθήκευση eMMC 5.1 σε λύση Package-on-Package (PoP) με πακέτο FBGA 144-ball. Με ένα συμπαγές μέγεθος μόλις 8,00 x 9,50 mm, επιτυγχάνει διαδοχικές ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής έως 290 MB/s και 140 MB/s, με συχνότητα έως 4266 Mbps. Το BIWIN ePoP LPDDR4X προσφέρει χωρητικότητα έως και 64 GB + 32 Gb. Πρόκειται για μια λύση αποθήκευσης επόμενης γενιάς σχεδιασμένη για έξυπνα ρολόγια υψηλής ποιότητας. Σε σύγκριση με τις προηγούμενες γενιές, η λύση αυτή διαθέτει αύξηση συχνότητας 128,6%, μείωση μεγέθους 32%, και είναι πιστοποιημένη από την πλατφόρμα Qualcomm 5100.
Ειδικότητα:
| Διασύνδεση | eMMC: eMMC 5.0 / eMMC 5.1 |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: 32bit | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 16bit | |
| Μέγεθος | 10.0 × 10,00 mm (136b) |
| 8.00 × 9,50 mm (144b) | |
| 8.60 × 10,40 mm (144b) | |
| 120,00 × 13,00 mm (320b) | |
| Μαξ. Διαδοχική ανάγνωση | eMMC: 320 MB/s |
| Μαξ. Διαδοχική γραφή | eMMC: 260 MB/s |
| Συχνότητα | LPDDR 2 / LPDDR 3: 1200 MHz |
| LPDDR 4x: 1200 MHz - 1866 MHz | |
| Δυναμικότητα | 4 GB + 4 GB |
| 8 GB + 4 Gb / 8 GB + 8 Gb | |
| 16 GB + 8 GB | |
| 32 GB + 16 GB | |
| 64 GB + 16 GB | |
| Εργασιακή τάση | eMMC: VCC=3,3 V, VCCQ=1,8 V |
| ΠΑΔΔΡ 2 / ΠΑΔΔΡ 3: VDD1=1,8 V, VDD2=VDDCA=VDDQ=1,2 V | |
| LPDDR 4: VDD1=1,8 V, VDD2=VDDQ=1,1 V | |
| ΠΑΔΔΡ 4x: VDD1=1,8 V, VDD2=1,1 V, VDDQ=0,6 V | |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -20°C - 85°C |
| Εγκριθείσες πλατφόρμες επαλήθευσης | SnapDragon Wear 3100 / 5100 |
| MSM8909W... | |
| Συσκευή | FBGA136 / FBGA144 / FBGA320 |
| Εφαρμογή | Επικαιροποιημένο AR/VR Smart Wear |
Πιο σχετικές μνήμες flash IC:
| Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ. |
| BWCMAQB11T16GI |
| Μικροοικονομική υποστήριξη για την εκτέλεση των καθηκόντων |
| BWEFMI064GN223 |
| BWEFMI128GN223 |
| Δελτίο ΕΚΑΧ αριθ. |
| Δοκιμαστικό υλικό |
| BWMZAX32H2A-16GI-X |
| BWMZCX32H2A-32GI-X |
| BWMEIX32H2A-48GI-X |
| Δοκιμαστικό υλικό |
| ΜΒΛΓΓΙΑ002ΓΝ6ΖΑ |
| BWLGYA004GN6ZC |
| BWLGYA006GN6EI |
| ΜΠΕΥΑ008GN6ZC |
BWET08U -XXG SPI (Διασύνδεση Περιφερειακών Σειριακών) NAND Flash IC για Έξυπνα Δίκτυα Φορέσιμων Συσκευών
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC για έξυπνο τηλέφωνο
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC για εντός οχήματος / Smart Phone / Gaming
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC για ενσωματωμένο όχημα / φορητό υπολογιστή
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BWCC2KD6-32G(32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G(64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC
| Εικόνα | μέρος # | Περιγραφή | |
|---|---|---|---|
|
|
BWET08U -XXG SPI (Διασύνδεση Περιφερειακών Σειριακών) NAND Flash IC για Έξυπνα Δίκτυα Φορέσιμων Συσκευών |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
|
|
|
|
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC για έξυπνο τηλέφωνο |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
|
|
|
|
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC για εντός οχήματος / Smart Phone / Gaming |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
|
|
|
|
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC για ενσωματωμένο όχημα / φορητό υπολογιστή |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
|
|
|
|
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
|
|
|
|
BWCC2KD6-32G(32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G(64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
|